新型高性能低成本晶体管

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它们使设计师能够提高效率、热管理和功率密度方面的性能,并增加灵活性

GaN Systems是GaN功率半导体的供应商,它推出了两种新晶体管:GS-065-011-2-L和GS-065-030-2-L。前者可以在45W到150W的应用中降低每瓦输出功率的成本,后者在3000W功率级的应用中提供低成本GaN的优势。这些新部件增加了GaN系统系列的低成本GaN晶体管,使设计者能够提高效率、热管理和功率密度方面的性能。提高了设计灵活性和成本效益,有助于满足消费者、工业和数据中心客户的新需求。这些新型晶体管具有更低的导通电阻、更高的稳健性和热性能、更高的VDS(瞬态)额定值,以及简化客户采用、可扩展性和商业化的行业标准形状因数。

GS-065-011-2-L是一种650 V、11 a、150 mΩ底侧冷却晶体管,非常适合于充电器和适配器等消费电子应用,包括得益于晶体管热性能改善的高功率适配器设计。

GS-065-030-2-L是一种650 V、30A、50 mΩ的底侧冷却晶体管,具有GaN系统PDFN产品系列中最低的RDS(on)。这意味着更低的功率损耗和更高的额定功率,从而实现更高的效率和功率密度。GS-065-030-2-L GaN晶体管非常适合数据中心、工业和5G应用,如电信和服务器开关电源、电机驱动、储能系统和无桥图腾极PFC解决方案。

“有了这些新的GS-065-011-2-L和GS-065-030-2-L产品,我们的客户可以利用更小、更高效、更具成本效益的电力电子产品带来的好处,”GaN Systems首席执行官Jim Witham说。

产品采用行业标准的8×8毫米PDFN封装,现已在GaN Systems的分销商处发售。


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