具有超快速开关的新型SiC MOSFET系列

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结合超低的开关损耗,高效率和卓越的稳健性,即使在高温下

北京,中国,2017年10月17日-Littelfuse, Inc.推出了其第一个系列碳化硅(SiC) mosfet,这是该公司不断增长的功率半导体生产线的最新成员。今年3月,Littelfuse通过对备受尊敬的SiC技术开发公司Monolith semiconductor Inc的多数投资,朝着在功率半导体行业建立行业领导地位迈出了又一步。LSIC1MO120E0080系列,额定电压为1200V和超低导通电阻(80mΩ),是该合作伙伴发布的第一款有机设计、开发和制造的SiC mosfet。该器件针对高频开关应用进行了优化,提供了超低的开关损耗和超高速的开关速度,这是传统功率晶体管解决方案无法提供的。

1200V SiC mosfet图像
1200V SiC mosfet图像

与具有相同额定值的硅器件相比,在电力电子系统中,SiC MOSFET系列能够显著提高能源效率,减少系统尺寸/重量,并增加功率密度。即使在高温(150°C)下,它也能提供卓越的稳健性和卓越的性能。

这些新型SiC mosfet的典型应用包括功率转换系统,如太阳能逆变器、开关模式电源、UPS系统、电机驱动、高压DC/DC转换器、电池充电器和感应加热。

Littelfuse电力半导体电子业务部产品营销经理Michael Ketterer表示:“我们新的SiC MOSFET系列是我们成为电力半导体行业领先组件供应商的旅程中的一个关键里程碑。”“我们的SiC MOSFET应用支持网络准备帮助客户提高他们现有设计的性能,以及帮助那些开发新的功率变换器产品。”

LSIC1MO120E0080系列SiC MOSFET具有以下主要优点:
•超快速开关支持更高的效率和更高的功率密度。
•更低的开关损耗允许更高的开关频率。
•更高的工作温度确保在更广泛的高温应用中更强的设备健壮性。


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